氧化镓是一种宽禁带半导体,禁带宽度Eg=4.9eV,其导电性能和发光特性良好。因此,其在光电子器件方面有广阔的应用前景,被用作于Ga基半导体材料的绝缘层,以及紫外线滤光片。β-Ga2O3的主要优势在于禁带宽度,但也存在着不足,主要表现在迁移率和导热率低,特别是导热性能是其主要短板。不过,相对来说,这些缺点对功率器件的特性不会有太大的影响,这是因为功率器件的性能主要取决于击穿电场强度。
氧化镓,外观呈白色结晶粉末,氧化镓化学符号:Ga2O3,氧化镓摩尔质量:187.444 g/mol,不溶于水和稀酸溶液与碱金属氧化物在高温下反应可生成镓盐。其熔点为 1740 ℃。 氧化镓晶型有β型, α型,长沙盛特的氧化镓纯度有99.99%,99.999%,粒度在D50 1-4μm。
氧化镓可以作为LED黄绿色荧光粉,可以制作钆镓石榴石,氧化镓在光电子器件方面有广阔的应用前景 ,被用作于镓基半导体材料的绝缘层,氧化镓还可以用作紫外线滤光片,氧化镓化学探测器。
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