氧化铟在气敏材料的应用

 氧化铟是一种重要的n型半导体，其直接能带隙为3.55~3.75ev, 间接能带隙为2.5ev，具有较宽的禁带宽度，较小的电阻率和较高的催化活性，被广泛应用于光催化，传感器，发光二极管等领域。三氧化二铟对许多氧化或还原性气体表现出敏感性，相对于SnO2,ZnO,Fe2O3等气敏材料，在某些方面甚至具有更佳的性能。气体传感器是纳米材料可利用的最有前途的领域之一，它的核心材料就是气敏材料。纳米材料具有常规不具备的独特的性质，表现出奇异的力学，电学，光学，磁学，热学，化学性活性，超导性能等特性。其在国防，电子，化工，冶金，轻工，航空，陶瓷，核技术，催化剂，医药等领域具有重要的应用价值。将纳米技术应用到气敏材料的制备，能够极大地改进气体传感器的性能。

    材料的结构决定了材料的性能，而不同的合成方法可以制备不同结构形貌的材料。近年来,人们对氧化铟纳米材料的制备和性能研究已经取得了一些进展。研究者通过多种物理和化学方法制备出氧化铟材料的各种纳米结构,目前氧化铟多采用液相法来制备。常用的制备纳米材料的方法，如共沉淀法，均匀沉淀法，无机盐分解法，金属醇盐水解法。水热法，溶剂热法，溶胶凝胶法，微乳液法等等，也都可以用来合成氧化铟纳米材料。

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